媒体观察 : Qorvo以技术整合服务三网融合

分享到:

在前不久的CCBN2016展会上,《电子产品世界》记者对Qorvo CATV和宽带接入产品部总监Kellie Chong进行了专访,并撰文《以技术融合优势服务于三网融合—— 专访Qorvo CATV和宽带接入产品部总监Kellie Chong》。本微信节选、整理部分精彩内容和观点与大家分享。

                                                     640.webp

Kellie Chong:GaN的技术优势,以及对放大器更高的要求,是Qorvo对DOCSIS 3.1充满期待的信心来源!“

技术整合凸显优势

“基于Qorvo公司20多年的设计经验,结合在CATV上的经验与在GaN技术上的优势进行全新的整合,从而研制出具有极为出色的输出功率,面向DOCSIS 3.1 光纤深层应用的放大器,这是目前市面上最好的解决方案。” Kellie Chong很自豪地介绍道。

因为DOCSIS 3.1相比于DOCSIS 3.0的标准,在上行和下行数据的带宽上都有明显的增加,这就需要放大器输出更高的功率满足系统对更高带宽的要求,同样系统也需要增加更多的放大器来满足高带宽的需求。Qorvo 的 DOCSIS 3.1 产品组合采用最新的高性能工艺技术,包括 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术,可提供出色的线性度、输出功率和可靠性,相比于之前的材料具有更高的输出功率。

材料技术的领先性,让Qorvo 可以提供完美支持 DOCSIS 3.1 解决方案的各种产品,其中包括前置驱动器增益单元、推挽放大器以及功率倍增器放大器、衰减器和开关。

“GaN的技术优势,以及对放大器更高的要求,是Qorvo对DOCSIS 3.1充满期待的信心来源!”Kellie Chong指出。

Kellie Chong 特别谈到 “现在,利用光纤到户 (FTTH) 和混合式光纤同轴 (HFC) 网络的有线运营商能够提供更高的带宽,以满足用户对上游和互动内容日益增长的需求。”Qorvo 拥有多种用于 HFC 和 FTTH 应用的反向路径放大器,包括 RFCA8830 和 RFCA1008 反向路径功率放大器,这些产品的工作频率高达 300 MHz,远远超出目前的反向路径要求 (204 MHz)。RFCM5304 具备极具创新性的集成功能,例如掉电、可调增益控制 (AGC)、可配置电流、低噪声放大器旁路,以及一个能够在工作期间检测 IC 温度的片上热感应引脚。

TIPS:DOCSIS

DOCSIS是一个由主流运营商来推动的标准,拥有较大规模的芯片厂商和设备厂商,美国有线电视实验室(CableLabs)负责制定其标准。由标准化组织、运营商和设备/芯片提供商形成的健康的产业生态链,为技术的后继演进提供了基础。

 

640.webp (1)

 

应对降功耗挑战

去年,美国电缆通信工程师协会SCTE 发布四项针对有线电视工业的节能新标准。SCTE的Energy 2020项目目标是到2020年,实现有线电视运营商的单位功耗降低20%,整体耗能成本降低25%,降低对电网需求10%,降低设备和数据中心占地20%,通过同设备合作伙伴的合作来推动硬件设备的类似节约。

而在相关调研中,涉及众多Qorvo产品相关的应用前端是整个系统功耗最大的一部分,针对Energy 2020的要求,Kellie Chong认为,作为器件的提供商,一方面需要更好的对现有的器件产品进行集成设计,从而可以有效缩减整个系统的容量,另一方面通过对新技术新材料的研发,希望能够用更低功耗的产品提供更高性能,从而对系统功耗的降低做出贡献。比如目前Qorvo正在与其他公司进行数字预失真和包络跟踪等技术研发的提升电源管理的效率。

谈及中国市场,Kellie Chong认为中国市场的特色是基础设施的进展速度更快,在中国市场上混合光纤同轴电缆网(HFC)和FTTH都有各自适合的应用市场,中国在MDU和FTTH上的进展是领先美国市场的,Qorvo现在面临的问题是,如何通过提升器件的性能来降低整个系统的成本,以进一步快速实现FTTH的普及。

 

针对中国市场推出新器件

为此,Qorvo特为中国市场推出了两款高性能高可靠性的混合宽带放大器OPAL 系列产品(QPA9830:具有 23 dB 增益的推挽式混合放大器模块;QPA9970:在 1,000 MHz 时具有 26.5 dB 增益的功率倍增器混合放大器模块),通过性能的提升来达到系统功耗降低的目的。Qorvo 的功率倍增器、推挽和返向路径放大器的 OPAL 系列兼有 GaN 和 GaAs 两种技术的优势,最多可使功耗降低 20%,而且具有超低失真和出色的输入和输出回波损耗。

继续阅读
得益于5G和汽车技术的发展,SiC和GaN技术前景被看好

相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计,达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。

5G将推动GaN技术大规模普及

过去的几年里,射频氮化镓(GaN)市场经历了令人印象深刻的增长,并重塑了射频功率放大器行业的格局。

GaN技术正在走向主流

网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件,这使得市场对于射频氮化镓(GaN)器件的需求不断升温。

BAW和GaN技术是如何驱热降温的?

三伏天让我们酷热难耐,夏天刚过又来了一只秋老虎!对于北半球的大多数人而言,他们极度渴望利用空调和冰淇淋来纳凉。甚至《微波杂志》的编辑 Pat Hindle 和 Gary Lerude 也在这一期的 Frequency Matters 中探讨了驱热降温的方法。

GaN技术应用在手机射频里还有那些难题?

氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。但对于手机而言,氮化镓材料还有很多难题需要解决。