GaN器件大热,TI公司投入生产

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美国德州仪器(Texas Instruments,TI)公司Silicon Valley Analog(SVA)业务部高级副总裁David Heacock日前借访日之机,在东京举办了新闻发布会,在发布会上表达了该公司对于最近开始大力投入的GaN功率器件的信心。

TI重点宣传的GaN功率器件产品的特点是,在1个封装中不仅有GaN功率晶体管(FET),还内置栅极驱动器。产品主要有两款,一个是配备了耐压80V的GaN FET的“LMG5200”(参阅本站报道)。2015年开始供应样品,另一个是配备了耐压为600V的GaN FET的“LMG3410”。均已从2016年开始供应样品。


关于设想的可以采用GaN功率器件的用途,Heacock介绍说,在耐压100V以下的用途方面,“顾客对于雷达等追求高速开关的应用给予了强烈关注”。在耐压为600V以上的用途中,设想采用GaN功率器件的是“输出功率为1kW~3kW的电源等以高开关频率驱动,通过缩小被动元件来追求小型化的产品”。

在现有Si功率器件方面,该公司产品的特点是拥有广泛的产品线。宣传的重点放在了DC-DC转换器模块产品。输入电压最低支持2.2V,最高支持60V。输出电流方面,小到0.4A以下,大到50A,都有相应的产品。

在发布会上,除上述内容外,Heacock还宣布TI将继续大力发展模拟领域。2015年TI的销售额约为130亿美元,其中模拟领域的销售额为83亿美元,占比达6成以上。该公司视模拟为成长的源泉,将大力投入到该领域的研发中。将把9成的研发费用投入到模拟领域。

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