宽带L频段160W GaN功放设计指导 采用SMT封装晶体管

更新时间 2018-04-26

尽管Qorvo的GaN晶体管效率非常高,但考虑到高RF功率电平意味着即使是高效的PA,晶体管也将具有显著功耗。由于晶体管是SMT组件,因此需要仔细设计PCB以优化热性能。已经对两种方法进行了评估,并报告了两者的结果。

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英文文档 broadband-l-band-160w-gan-pa-smt-packaged-transistor-QPD1013-PlextekRFI-may2017.pdf pdf 1.0 821.09KB 79