GaAs pHEMT：TGF2080

更新时间 2019-11-21

Qorvo的TGF2080是分立的800微米pHEMT，工作频率范围为DC至20 GHz。TGF2080使用Qorvo业已验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺进行设计。该工艺采用先进技术，可在高漏极偏置工作条件下优化微波功率和效率。TGF2080通常在P1dB时提供29.5 dBm的输出功率，在1 dB压缩时增益为11.5 dB，功率附加效率为56％。这种性能使TGF2080适合于高效率应用。具有氮化硅的保护性外涂层可提供一定程度的环境稳定性和划痕保护。