GaN HMET:QPD1003

更新时间 2019-11-27

Qorvo的QPD1003是SiC HEMT上内部匹配的500 W（P3dB）离散GaN，工作频率为1.2至1.4 GHz，电源电压为50V。该器件采用GaN IMFET，完全符合行业标准气孔封装中的50欧姆，非常适合军事和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。