GaN HMET:QPD1003

更新时间 2019-11-27

Qorvo的QPD1003是SiC HEMT上内部匹配的500 W(P3dB)离散GaN,工作频率为1.2至1.4 GHz,电源电压为50V。该器件采用GaN IMFET,完全符合行业标准气孔封装中的50欧姆,非常适合军事和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。

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英文文档 QPD1003 Data Sheet pdf 1.07MB 74