GaN HEMT：TGF2819-FL

更新时间 2019-12-27

Qorvo TGF2819-FL是SiC HEMT上大于200 W（P3dB）的分立GaN，其工作频率为DC至4 GHz。 该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合IFF，航空电子设备，军事和民用雷达以及测试仪器。 该设备可以支持脉冲和线性操作。