GaN HEMT:TGF2952

更新时间 2020-01-06

Qorvo的TGF2952是在SiC HEMT上的离散1.25 mm GaN,工作频率为DC-14 GHz。TGF2952通常提供38.4 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时的功率增益为20.4 dB。 TGF2952的最大功率附加效率为75.7%,使其适合于高效率应用。

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英文文档 TGF2952 pdf 1.72MB 26