GaN HEMT:TGF2956

更新时间 2020-01-07

Qorvo的TGF2956是SiC HEMT上的离散10.08 mm GaN,工作频率为DC-12 GHz.TGF2956通常提供47.6 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时的功率增益为19.3 dB。 TGF2956的最大功率附加效率为69.7%,使其适合于高效率应用。

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英文文档 TGF2956 pdf 1.35MB 19