GaN HEMT:TGF2957

更新时间 2020-01-08

Qorvo的TGF2957是SiC HEMT上的离散12.6 mm GaN,工作频率为DC-12 GHz.TGF2957通常提供48.6 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时的功率增益为19.2 dB。 TGF2957的最大功率附加效率为69.6%,使其适合于高效率应用。

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英文文档 TGF2957 pdf 1.4MB 20