GaN HEMT：TGF2979-SM

更新时间 2020-01-09

Qorvo的TGF2979-SM是SiC HEMT上的25 W（P3dB）宽带无与伦比的分立GaN​​，其工作频率范围为DC至12 GHz，电源电压为32V。该器件采用行业标准的3x3mm QFN封装，非常适合军事和民用雷达，陆地移动和军事无线电通信，航空电子以及测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。