用SMT封装晶体管设计宽带L波段160 W GaN功率放大器(QPD 1013)

更新时间 2020-05-22

本文详细介绍了采用最新的Qorvo晶体管并采用经济高效的SMT塑料封装的宽带功率放大器的设计。 实现的放大器在1.2至1.8 GHz之间具有160 W的输出功率,非常适合L波段雷达和宽带通信应用。 QPD1013晶体管采用Qorvo的0.50 µm SiC衬底上的GaN技术,能够在65 V的电压下工作,从而提高了效率,并提高了带宽。

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英文文档 broadband-l-band-160w-gan-pa-smt-packaged-transistor-QPD1013-PlextekRFI-may2017 pdf 821.09KB 40