GaAs pHEMT:TGF2160

更新时间 2019-11-25

Qorvo的TGF2160是离散的1600微米pHEMT,工作频率范围为DC至20 GHz。TGF2160使用Qorvo业已验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺进行设计。该工艺采用先进技术,可在高漏极偏置工作条件下优化微波功率和效率。

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英文文档 TGF2160 pdf 219.66KB 255