GaN HEMT：QPD1010

更新时间 2019-12-03

Qorvo的QPD1010是SiC HEMT上的10 W（P3dB）离散GaN，工作频率范围为DC至4 GHz。该器件采用Qorvo久经考验的QGaN25HV工艺制造，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可以潜在地降低系统成本。