GaN HEMT：QPD1029L

更新时间 2019-12-09

Qorvo QPD1029L是SiC HEMT上的1500 W（P3dB）离散GaN，工作频率为1.2至1.4 GHz。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合IFF，航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持连续波和脉冲操作。