GaN HEMT:QPD1881L

更新时间 2019-12-10

Qorvo QPD1881L是SiC HEMT上的400 W(P3dB)离散GaN,工作频率为2.7至2.9 GHz。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该设备采用行业标准的气腔封装,非常适合民用雷达,气象雷达和测试仪器。该设备可以支持连续波和脉冲操作。

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英文文档 QPD1881L Data Sheet pdf 1.41MB 376