GaN HEMT：QPD2796

更新时间 2019-12-12

Qorvo的QPD2796是SiC HEMT上的分立GaN，工作频率为2.5–2.7 GHz。 该器件是单级匹配功率放大器晶体管.QPD2796可在Doherty架构中用于宏单元高效系统的基站功率放大器的末级.QPD2796在48 V工作时可提供200 W的PSAT。