GaN HEMT:QPD3800

更新时间 2019-12-13

Qorvo的QPD3800是SiC HEMT上的分立GaN,工作频率为3.4-3.8 GHz。 该器件是单级匹配功率放大器晶体管.QPD38000可以在Doherty架构中用于宏单元高效系统的基站功率放大器的末级.QPD3800在50 V工作时可以提供85 W的PSAT。

类型 文档标题 格式 版本 文件大小 下载次数
英文文档 QPD3800 Data Sheet pdf 623.93KB 137