GaN HEMT：T1G2028536-FS

更新时间 2019-12-13

Qorvo的T1G2028536-FS是SiC HEMT上的285 W（P3dB）离散GaN，工作频率范围为DC至2 GHz。该器件采用Qorvo久经考验的TQGaN25HV工艺制造，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。 就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可以潜在地降低系统成本。