GaN HEMT：T1G4020036-FS

更新时间 2019-12-19

Qorvo的T1G4020036-FS是SiC HEMT上的2 x 200 W（P3dB）宽带输入预匹配分立GaN​​，其工作频率范围为DC至3.5 GHz，电源电压为50V。该器件采用Qorvo久经考验的TQGaN25HV工艺制成，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可以潜在地降低系统成本。