GaN HEMT：TGF2023-2-01

更新时间 2019-12-26

Qorvo的TGF2023-2-01是SiC HEMT上的离散1.25 mm GaN，工作频率范围为DC至18 GHz。该设备通常在3 GHz时可提供38 dBm的饱和输出功率和18 dB的功率增益。 TGF2023-2-01的最大功率附加效率为66％，非常适合高效率应用。 该零件是无铅且符合RoHS要求。