分立式晶体管 GaN HEMT: QPD1026L

更新时间 2021-06-16

Qorvo QPD1026L 是 1300 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率为 420 至 450 MHz。 封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。 该设备采用行业标准气腔封装，非常适合业余无线电、公共安全无线电和无线电定位服务。 该器件可以支持 CW 和脉冲操作。 符合 RoHS。 可应要求提供评估板。