分立式晶体管 GaN HEMT：TGF3021-SM

更新时间 2021-07-13

Qorvo 的 TGF3021-SM 是 30 W (P3dB) 宽带无与伦比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 4 GHz 和 32V 电源轨范围内运行。 该器件采用行业标准 3x4mm QFN 封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。 该器件可以支持脉冲和线性操作。 无铅且符合 ROHS。 可应要求提供评估板。