SiC场效应晶体管器件：UF3C065040B3

更新时间 2023-10-20

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的“级联”电路 配置，其中正常导通的 SiC JFET 与 Si 共同封装 MOSFET 用于产生常关断的 SiC FET 器件。设备的 标准栅极驱动特性可实现真正的“插入式” 替代“硅IGBT、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结 设备。在 D2 中可用 PAK-3L封装，该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性， 使其非常适合在与 推荐的 RC 缓冲器，以及任何需要标准的应用 门驱动。