SiC场效应晶体管器件:UF3C120080B7S

更新时间 2024-01-04

这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路 配置，其中常开SiC JFET与Si共同封装 MOSFET以产生常关SiC FET器件。设备的 标准栅极驱动特性允许真正的“下降 硅IGBT、硅FET、SiC MOSFET或硅超结的替代 设备。D2中可用 PAK-7L封装，该器件表现出超低的栅极电荷和优异的反向恢复特性， 使其成为切换电感负载和任何应用的理想选择 需要标准的栅极驱动。