SiC场效应晶体管器件:UF3SC065040B7S

更新时间 2023-12-07

该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路 配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，以产生常关 SiC FET 器件。 该器件的标准栅极驱动特性可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。 该器件采用 D2 PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。