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【答题有奖】无与伦比的碳化硅(SiC),它为何这么香?

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发表于 2023-11-20 19:07:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
随着新能源、5G通信和电动汽车等领域的迅速崛起,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代半导体材料备受瞩目。其在功率电子器件领域的出色性能和广阔应用前景已成为行业的焦点。然而,要深入了解碳化硅行业的发展状况、市场空间、未来趋势以及相关产业链,迫切需要一次全面而深入的梳理。

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2023年3月,Qorvo采用 TOLL 封装的 5.4 mΩ 750V SiC FET发布。这是750V SiC FET系列中首款采用TOLL封装的产品。这些器件热阻进一步减低、尺寸进一步紧凑化,适用于多种空间受限应用,例如功率在几百瓦至几千瓦的AC/DC电源、固态继电器,以及电流高达100A及以上的固态断路器。未来两周就让我们一起温故知新一下,跟随管管的步伐回顾基础知识的同时看看SiC技术有哪些新的发展,同时也学习一下Qorvo的相关SiC FET的技术和方案。

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获奖信息:请中实物奖励和积分奖励的小伙伴主动与管管联系发奖,已经提供过信息的小伙伴等待收奖即可,没有提供过信息的小伙伴请主动添加管管私聊提供信息后正常派奖。(实物奖品今天开始会陆续发出,积分后续会统一申请)
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相关资料:

SiC技术介绍:
SiC,为何是大势所趋?
追寻超导梦想的路上,不断刷新极限的这个电阻更具现实意义
碳化硅(SiC)行业解析
SiC MOSFET器件解析
能效转换节节高,不一般的Qorvo SiC FET是怎样炼成的?
尽可能地降低 SiC FET 的电磁干扰和开关损耗
SiC 的速度挑战
理想开关带来了自身的挑战
您会使用由硅制成的碳化硅吗?
SiC FET — “图腾” 象征?

SiC技术视频/文档资料:
Qorvo将前所未有的低RDS(上)750V SiC场效应管引入行业主流表面贴装封装
打造新型功率器件
RD5556 SiC:600V 三相无刷直流电机控制参考
无刷直流电机及其驱动器的设计挑战和注意事项
SiC场效应晶体管器件:UF3C120080K4S  
SiC场效应晶体管器件:UF3C065040B3
高功率 GaN SPDT 开关:QPC1005  

SiC技术应用:
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs  
给SiC FET设计PCB有哪些注意事项?
UnitedSiC 提供七个采用七引脚设计的新 750V SiC FET
以更小封装实现更大开关功率,Qorvo SiC FET如何做到的?
如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法!
SemiPowerEx SiC 电源模块
适用于 200kW 驱动装置逆变器的 AC Propulsion 电源模块
使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
真正实现碳化硅的汽车应用资质

活动时间:

11月21日—12月5日

活动规则:(每日问题更新在最下方)

1、展示自己身边SiC技术相关产品(带图片,需要有简要文字介绍)即可获得100金币(每人上限3次),活动结束会从参与的小伙伴中抽取1人送出精美实物奖励

2、参与每日答题,答对可获1积分,每日优质答案可获得2积分(问答题),获得积分榜前8名的网友可根据名次分别对应获得答题大礼包(米家电热水壶+小米电动牙刷)、氮化镓充电器、车载手机支架、公牛插排、绿联分线器、2000RF金币、绿联读卡器、32G-U盘的奖励。(本次答题活动大部分问题答案都在链接资料里,少部分题目问题需要自己思考,不一定在原文中能找到哦,积分相同则根据最后一天答题快慢排序~)

3、回复在楼层为66,166,255,333,444,555层的用户能够获得FAFULI积分10积分 666层的用户能够获得FAFULI积分30积分777,888层的用户能够获得FAFULI积分10积分

4、参与活动可得金币奖励:每次回复本帖可获得 10金币奖励,每人最多可获得10次。

5、活动结束即可开启幸运大转盘。

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温馨提示:

1、获奖网友请主动添加管理员QQ: 1549319930。
2、每日问题1天1道,周末两天同一道题,每天上午9:00之前更新问题,当天回答为有效回答,逾期则无效,不能获得积分。
3、活动解释权归与非网所有。

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11月21日问题:
SiC,为何是大势所趋?
以下哪个不是SiC 的固有优势之一?B
(A、具有较高的临界击穿电压  B、可在低温下工作  C、出色的导通电阻  D、开关速度快)

11月22日问题:
SiC的结温可以达到多少度?C
(A、400°C  B、500°C  C、600°C  D、700°C)

11月23日问题:
以下哪些属于减小导通损耗的方法?(多选)AD
(A、优化开关损耗  B、不断增大FET的尺寸  C、增大RDS(on)  D、减小RDS(on))

11月24日问题:
下列关于在缓冲电路中使用 SiC FET的说法不正确的是?D
(A、对于硬开关应用跨器件使用小 RC 缓冲电路  B、对于软开关在开关处使用电容器  C、对于软开关应用采用简单电容器缓冲电路时损耗更低  D、对于硬开关跨直流链路轨使用 RC 缓冲电路)

11月25日-26日问题:
SiC 器件的什么特性导致更高的 VDS 尖峰和更长的振铃持续时间?A
(A、较快的开关速度  B、较低的 RDS(on)  C、较高的额定电压 D、较高的 RDS(on))

以下关于SiC FET的描述正确的有哪些?(多选)ABD
(A、  优化开关损耗  B、较快的开关速度 C、较高的导通电阻  D、低动态损耗)

11月28日问题:
共模EMI的主要来源是什么?C
(A、外界干扰的耦合  B、PCB的布局与走线  C、开关节点和机箱接地之间的电容  D、变压器)

11月29日问题:
系列关于TOLL 封装的描述有误是哪一项?B
(A、有助于提高鲁棒性和免疫性  B、尺寸相比 D2PAK 表面贴装器件增加30%  C、相比于同类产品尺寸减小  D、简化了设计)

11月30日问题:
Qorvo TOLL封装的额定750V共源共栅结构SiC FET的应用有哪些?(多选)ABCD
(A、AC/DC电源  B、电池充电器  C、数据通信  D、便携式充电站)

12月1日问题:
SiC FET 采用了什么结构实现了超低单位面积导通电阻?A
(A、SiC JFET  B、SiC MOSFET  C、SiC BJT  D、SiC Schottky)

12月2日-3日问题:
“使用三引脚封装以及开尔文连接时,电流压摆率可超过5000 A/µs,从而实现更高效率,且不会影响栅极驱动信号。”这个说法正确与否 ?B
(A、正确  B、错误)

12月4日问题:
以下哪个不是碳化硅产业链中间的环节之一?D
(A、碳化硅衬底材料  B、器件设计  C、封装测试  D、代码设计)

12月5日问题:
浅要谈谈目前SIC的发展趋势以及国产化的痛点和发展瓶颈,说说自己的观点。
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