众所周知,“硅” 仍在市场占有一席之地,但随着功率效率和性能水平对快速增长领域(即电动汽车、电池充电、数据中心等领域)的成功变得愈发重要,基于新技术的新器件也将成为取代硅器件的合理选择。那些新器件指的正是 SiC FET。
在 “您会使用硅制成的碳化硅吗?” 系列的 6 篇博文中,UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 博士与 Power Systems Design (PSD) 一起向读者阐述了为什么 SiC FET 是广泛应用的正确选择,以及如何适用于仍包含 MOSFET、超结、IGBT 和 GaN HEMT 的环境。本系列博文为工程师介绍了与功率晶体管和二极管相关的重要品质因数,以及在进行设计选择时应该考虑的要素。本系列博文将涵盖超共源共栅拓扑结构的概念,以及如何将其用于电源应用等内容。
SiC FET 已经走出了专业应用领域,并已快速成为当今 HW 电源设计人员的主流电源解决方案。如果您考虑在下一个设计中使用 SiC,但不清楚其产品优势,或者想要进一步了解这个高速发展的 SiC 电源解决方案,则可以阅读本系列博文。希望您喜欢!
电子产品涉及到低电压、高电压和极高电压三个方面。而碳化硅 (SiC) 等功率半导体技术则明确地专注于突破较高电压领域的难题。UnitedSiC 在超共源共栅架构等方面取得了突破性进展,也由此成为该领域相关器件和模块技术的领导者。本文由 Power Systems Design 负责撰写,主要向工程领域的读者介绍 SiC MOSFET、SiC IGBT 及其对应的硅器件所适用的功率频谱。