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实现超高功效的新一代非对称型Doherty放大器QPD2731

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发表于 2017-8-11 10:59:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
Qorvo宣布推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管,可最大限度提高线性度、效率和增益,并最终降低运营成本。

Strategy Analytics 服务总监 Eric Higham 表示,相比 GaAs 和 InP 等其他高频技术,GaN 器件可以处理更高的功率;相比 LDMOS 等其他功率技术,GaN 的频率性能更出色。”
QPD2731.jpg


Qorvo 高性能解决方案业务部门总经理 Roger Hall 表示:“如今的电信基础设施设计就是要实现可降低成本的高功效。我们的客户告诉我们,随着运营商在线提供更多功能,新型 GaN-on-SiC QPD2731 晶体管可实现这些目标。”

因为 LDMOS 和 GaN-on-Si 与之相比,热性能较差,客户正越来越多地转向使用 GaN-SiC,以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731 通过预匹配分立式GaN-on-SiC 高电子迁移率晶体管(HEMT)实现这一转变。目前提供样片的这款新型放大器可在 2.5 至 2.7 GHz 的工作范围内提供业内最高性能。

根据 Qorvo 之前发布的内容,通过标准的市售第三方 DPD 系统可实现 QPD2731 的线性化。

Qorvo 提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓(GaN)分立式晶体管产品,采用裸片级和封装级解决方案。

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