飞思卡尔首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓（GaN）射频功率晶体管。
与硅相比，GaN具有更高的功率转化效率，更快的转换速度以及更高的功率密度，故而以它为基础而制造出的功率晶体管与传统器件相比体积更小，功能也更强大。这要得益于GaN的几大特性—较宽的带隙，较强的临界电场以及高水平的电子迁移率。虽然GaN的转移在过去花费过高，但最近的商业和技术进步正使制作成本逐渐降低。
飞思卡尔 Airfast系列射频功率产品涵盖了600MHz到3.8GHz的所有无线蜂窝移动通信频段，采用多种半导体技术。A2G22S160-01S专为1800-2200MHz频率范围的基站设计，性能优异。例如，在40W的Doherty双向不对称放大器中，其载波通道装有一根A2G22S160-01S晶体管，峰值通道装有两个A2G22S160-01S晶体管，则它的最大输出功率为56.2dBm。通过8dB的输出回退（OBO），功率增益可达到15.4dB, 效率则可达到56.7%。当此放大器受到两个20MHzLTE载波单元（聚合后的带宽则为40MHz）的驱动时，具备数字预失真（DPD）功能的邻道功率（ACP）则为55dBc。
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发表于 2015-8-24 15:23:38
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