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【答题有奖】碳化硅(SiC)知多少?

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回帖奖励 7640 金钱 回复本帖可获得 10 金钱奖励! 每人限 10 次
发表于 2024-4-25 15:21:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
新能源、5G通信和电动汽车等领域的蓬勃发展,碳化硅(SiC)这一第三代半导体材料正逐渐崭露头角,成为业界瞩目的焦点。在功率电子器件领域,碳化硅凭借其出色的性能,如高温稳定性、高电子迁移率以及抗辐射等特性,展现出广阔的应用前景。新能源、5G通信和电动汽车等领域的蓬勃发展,碳化硅(SiC)这一第三代半导体材料正逐渐崭露头角,成为业界瞩目的焦点。在功率电子器件领域,碳化硅凭借其出色的性能,如高温稳定性、高电子迁移率以及抗辐射等特性,展现出广阔的应用前景。

SiC

SiC

在本次答题活动中,我们将围绕碳化硅(SiC)材料的性能特点、生产工艺、应用领域以及市场需求等方面设置一系列问题,通过这样的梳理,我们可以更好地把握碳化硅行业的发展脉搏。

相关资料:
技术帖:
SiC器件车载充电应用:发展动态与性能优化之道

文档:

视频:

活动时间:
4月25日—5月10日

活动规则:(每日问题更新在最下方)
1.发布跟碳化硅(SiC)有关的帖子(可以介绍技术、或者相关产品),并将链接分享到此处,即可获得100金币(每人上限3次),活动结束后,根据帖子质量,从参与的小伙伴中抽取2人送出精美实物奖励
2、参与每日答题,答对可获1积分,每日优质答案可获得2积分(问答题),获得积分榜前8名的网友可根据名次分别对应获得答题大礼包:雷柏机械键盘、桌面可夹风扇、小米无线鼠标、绿联分线器、护腕鼠标垫、2000RF金币、手持小风扇、螺丝刀套装的奖励。(问题答案基本都在链接资料里哦~积分相同则根据最后一天答题快慢排序,需在题目更新后答题才算成功,请勿提前“占坑”~)

3、回复在楼层为66,166,255,333,444,555层的用户能够获得FAFULI积分10积分666层的用户能够获得FAFULI积分30积分777,888层的用户能够获得FAFULI积分10积分

4、参与活动可得金币奖励:每次回复本帖可获得 10金币奖励,每人最多可获得10次。

5、活动结束即可开启幸运大转盘。

温馨提示:
1、获奖网友请主动添加管理员微信。
2、每日问题1天1道,周末2天同一道题,五一假期期间前4天中2天同一道题。每天上午9:00更新问题,当天回答为有效回答,逾期或提前则无效,不能获得积分。
3、活动解释权归与非网所有。

每日问题:
4月25日问题:
750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达          B
A、30mΩ
B、60mΩ
C、75mΩ
D、55mΩ

4月26日问题:
Qorvo提供定期更新的QSPICE模型库,其中包括Qorvo的          解决方案,使客户能够轻松利用Qorvo电源进行评估和设计。A
A、碳化硅和高级电源管理
B、GUI
C、AI和机器学习
D、数字电路网络

4月27~28日问题:
高效电源仿真功能专为电源设计人员打造,提供针对          等方面的仿真加速算法和技术,使得电源设计过程更为高效和准确。(多选)ABCD
A、电源转换
B、效率分析
C、瞬态响应
D、热效应

4月29日问题:
与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合,其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出________C
A、4
B、2.5
C、2
D、3

4月30日问题:
高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用,而且具有卓越的__________________ABC
A、热性能
B、高功率密度
C、高可靠性
D、多功能化

5月1~2日问题:
TOLL封装750V SiC FET,导通电阻范围在________之间?D
A、2.4mΩ-5mΩ
B、3.7mΩ-8.8mΩ
C、2.1mΩ-35mΩ
D、5.4mΩ-60mΩ

5月3~4日问题:
采用SiC技术替代硅基工艺,来开发基于双极结型晶体管(BJT)、结栅场效应晶体管(JFET)、____________的电源产品。AC
A、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
B、电动汽车(EV)
C、绝缘栅双极晶体管(IGBT)
D、太阳能/可再生能源

5月5日问题:
Qorvo SiC FET器件能在给定RDS(ON)的条件下获得更小的裸片尺寸,并减轻SiC MOSFET产品常见的______问题。B
A、导通电阻
B、栅极氧化物可靠性
C、功率损耗
D、功率密度

5月6日问题:
Wi-Fi 7 作为下一代无线通信技术标准,引入了 320MHz带宽、____________以及______等多项突破性技术。BCD
A、超宽带(UWB)
B、多链路操作(MLO,Multi-Link Operation)
C、4096 阶正交幅度调制(4K QAM)
D、灵活的信道选择

5月7日问题:
碳化硅之所以备受瞩目,得益于其突出的性能,它具有带隙宽、__________________等优点。ABD
A、热导率高
B、击穿电压高
C、小型化
D、耐高温性能强

5月8日问题:
每种方法都有其特点和适用场景,但考虑到涂层的均匀性、与基体的结合强度以及成本等因素,______法被认为是目前制备基体表面SiC涂层的主要技术。C
A、凝胶-溶胶法
B、包埋法
C、CVD
D、刷涂法

5月9日问题:
基于SiC的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有作为失效打开器件的优点,能够消除______和可能的火灾或爆炸的风险。D
A、能源浪费
B、电压限制
C、转换技术效率低
D、短路


5月10日问题:
SiC二极管及MOSFET器件在高频开关过程中会产生电磁干扰,因此需要通过               等方法来降低电磁干扰。
A、优化器件设计
B、降低开关频率
C、采用滤波器
D、保持较低的发热量

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