6GHz~18GHz超宽带小型化固态功放

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超宽带固态功放广泛应用于电磁兼容、电子对抗、雷达、通信等领域。面对复杂电磁环境中不断加剧的干扰与反干扰、对抗与反对抗挑战，对功放的需求正朝向频段宽带化整合、大功率量级兼容、小型化高密集成的方向快速发展。

传统微波大功率功放多采用磁控管、行波管等电真空器件，存在预热时间长、寿命短等使用缺陷。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体工艺具备宽禁带、高击穿电压、高功率密度等优点，并以高热传导性和耐高温的碳化硅（SiC）为衬底，使跨多倍频程的宽带大功率固态功放研制具备可行性，这类技术正逐步取代传统的电真空设备，广泛应用于射频行业。


尽管高频宽带固态功放芯片在6GHz~18GHz频率范围内的单片输出功率不高，目前仅为10W~20W量级，效率约20%左右，要实现大功率宽带发射机则需采用合成方式。然而随着合成级数的递增，合成效率及散热问题急剧突出。微带、带线及电桥等传统合成方式损耗大、耐功率能力低，且超宽带合成结构需要多枝节阻抗变换，又会带来体积的进一步增大。故在6GHz~18GHz范围内超宽带功放设计中，大功率合成架构、高热流密度散热、小型化高集成三者之间形成了相互制约的关系。

在此转载一篇发表于《微波学报》的文章《6GHz~18GHz超宽带小型化固态功放》，作者吕刚等。本文基于脊波导H面T型4路功分/合成及波同阻抗变换拓扑，结合铝嵌铜工艺和供电垂直互联方式，设计了一种6GHz~18GHz 40W超宽带小型化固态功放，具备超宽带高效率合成、大功率高热流密度散热、结构轻量小型化等优势，是一种可重构的超宽带固态高功率功放架构，对宽带大功率固态功放研制提供了一套有效的解决方案。内容源自网络，以供学习交流。

文章转自射频攻城狮公众号

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