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IEEE MTT-S 国际微波研讨会 （IMS2025）于2025年6月15日至20日美国加州旧金山Moscone Center盛大举行，射频微波相关厂家纷纷展出最新的产品和技术。
NTT的J 波段（220–325 GHz）的宽带放大器模块和是德科技数字预失真（DPD）技术的测量系统（6G 矢量元器件分析仪（VCA））结合产生的信号实现了 0 dBm 的输出功率。
S 波段 （2 – 4 GHz） 高功率 GaN-on-SiC 放大器：专为雷达应用设计的全新 65 V、50 欧姆输入和输出放大器系列现已推出。这些放大器在 2.7 – 3.8 GHz 范围内工作，可提供高达 800 W 的输出功率。65 V S 波段雷达产品的完整产品组合包括 MAPC-A4029、MAPC-A4030、MAPC-A4031 和 MAPC-A4032。 C 波段 （4 – 8 GHz） 高功率 GaN-on-SiC 放大器：MAPC-A4003-AB 是一款 700 W GaN-on-SiC 功率放大器 （PA）。这款 50 欧姆 PA 采用 MACOM 的 GaN-on-SiC 工艺技术，旨在为 5.2 – 5.9 GHz 雷达应用提供紧凑的 700 W 解决方案。 高效 GaN-on-SiC MMIC 放大器：WSA4501S 是一款高效 GaN MMIC，非常适合大型雷达阵列。50 W GaN-on-SiC MMIC PA 具有 57% 的功率附加效率 （PAE）。它支持雷达客户对更长脉冲条件不断变化的需求，在 5.2 – 5.9 GHz 范围内具有高达 500 μs 的能力和 20% 的占空比。 X 波段 （8 – 12 GHz） 紧凑型 1 kW 放大器托盘：MAPC-P1060 是一款 1 kW 脉冲 PA 托盘，提供 52 dB 的增益和 30% 的效率，非常适合 X 波段频率的高功率微波系统和雷达应用。该托盘集成了 MACOM 的电源管理 IC （PMIC），用于偏置排序和温度补偿。 高度集成的前端模块：WS***0S 前端模块 （FEM） 具有 GaN-on-SiC 功率放大器、GaN-on-SiC 开关和带有集成限制器的 GaAs 低噪声放大器 （LNA）。在发射模式下，它提供高达 5 W 的饱和输出功率、40% 的 PAE 和 32 dB 的增益。接收端可提供 16 dB 的增益、2.5 dB 的噪声系数和 21 dBm 的 OIP3。集成限幅器提供接收侧保护。 Ku 波段 （12 – 18 GHz） 高功率 GaN-on-SiC MMIC：CMPA1F1H060 Ku 波段 GaN-on-SiC MMIC 提供高输出功率和高效率。在脉冲作中，它可以提供高达 80 W 的饱和输出功率、25 dB 的大信号增益和 35% 的功率附加效率 （PAE）。它有多种格式可供选择，包括裸片、表面贴装 QFN 和法兰。
3、Aaronia 9kHz至140 GHz 490MHz带宽手持式实时频谱分析仪
Aaronia 推出了世界上第一台RTBW 为490 MHz的便携式实时频谱分析仪。频率范围9kHz至140 GHz，扫描速度为 3THz/s，最新的 AMD® Ryzen 7949 HF 处理器和 64 GB LPDDR5x 内存提供支持。光纤网络接口、4 个 USB-C，每个 15 W 通过 USB PD、2 个 M.2 2280、3 个 M.2 2242 和一个 SIM 卡插槽。平板电脑还可以配备高达 16 TB 的 SSD 存储空间，并配备两个热插拔电池组。
4、EECL展示从DC到85 GHz的即插即用射频和微波测试工具
小型化射频开关矩阵：紧凑的 USB 和以太网控制全交叉开关矩阵，具有多达 96 个开关，支持 16 kHz 至 40 GHz 的频率。该系统非常适合自动化、高吞吐量射频测试，提供 100 dB 隔离、烘箱稳定以及对分析仪、信号发生器和电源等的集中控制。 双通道上/下变频器：独立控制的通道，支持高达 85 GHz 的转换，可实现可扩展、经济高效的通过/失败测试和实验室探索。这些模块无缝扩展了现有的测试设备功能，使 RF 团队能够在更高的频率下运行，而无需对基础设施进行大修。 SMU-04103 源测量单元：用于半导体分析、电池仿真和 RF 偏置的高性能 SMU。它针对低功耗 IoT 技术进行了优化，支持快速脉冲测量、精确的电流分析和功率循环，满足现代设备开发的性能需求。
5、Spectrum Control 展示推动下一代集成和小型化的射频产品
模块转换器 SiP：上/下转换 18-40 GHz 与 2-18 GHz 之间，毫米波模块上变频器可将标准 2 至 18 GHz 频段上变频为 30 mm 的毫米波信号（18 至 40 GHz）2BGA 封装。 32 GHz 时钟 x4：低抖动时钟 SiP，用于高速直接采样 低温电阻：SMT 和同轴衰减器和电阻器至 4°mK 超小型滤光片：定制多路复用器和滤光片组现已推出 Q 波段增益均衡器：可调谐、线性、抛物线和纹波消除
6、Okmetic展示高性能射频硅片
Okmetic 以其专业的 RFSi 晶圆技术而闻名，提供高电阻率硅衬底，可提高器件性能，同时降低总拥有成本。这些晶圆支持射频滤波器和组件的尖端设计，如 BAW、TF-SAW、IPD、GaN-on-Si 功率放大器、开关和天线调谐器，使客户能够满足现代射频应用日益苛刻的要求。 Okmetic 的 150-200 mm RFSi 晶圆产品组合包括： 高电阻率 SSP 或 DSP 晶圆 电阻率高达 >10 kOhm-cm 带或不带高效的富捕集阱层 <700nm TTV 射频选件
用于 GaN-on-SI 和 GaN-on-SOI 应用的 GaN 衬底晶圆 高电阻率键合 SOI 晶片，带或不带腔体
7、Optical Zonu 推出具有 6 GHz 带宽的新型 RF-over-Fiber 模块
OZ200 RF-over-Fiber 链路的主要特点 宽带覆盖范围： 30 MHz–6 GHz（低至 500 KHz）。超宽动态范围： >65dB 链路预算和行业领先的 SFDR，可实现低于 2% 的 EVM 256 正交幅度调制 （QAM），并支持更高阶的调制。精密增益调谐： 手动或自动高分辨率增益控制 （MGC/AGC）智能监控： 集成信号强度检测器、RF RMS 功率测量和本地 LED 警报。数字化管理： 通过 USB-C（USB、I²C、UART）进行基于微控制器的控制，并支持 SNMPv3加固型设计： –40 °C 至 +70 °C 工作外壳温度、低 EMI 屏蔽和 6.5–7 VDC 单电源
8、三菱电机推出用于 5G 高级基站的高效 GaN 功率放大器
三菱电机公司声称已开发出具有全球最高功率效率的紧凑型 7 GHz 频段氮化镓 （GaN） 功率放大器模块 （PAM）。由于组件的高密度安装，该紧凑型模块的尺寸仅为 12.0mm x 8.0mm（原型），这将提高 5G-Advanced 基站的安装效率。
9、pSemi 推出世界上线性度最高的 UltraCMOS+ SP4T 射频开关，频率范围为 10 MHz 至 6 GHz
推出 PE42448：一种采用 pSemi 的 UltraCMOS+ 先进绝缘体上硅 （SOI） 技术制造的高线性度 SP4T 射频开关。覆盖 10 MHz 至 6 GHz，P 为 52 dBm最大值、峰值，通过几乎打破 90 dBm IIP3 障碍，扩展了 pSemi 的深度射频开关产品组合，成为大规模多输入、多输出 （MIMO）、测试和测量 （T&M）、陆地移动无线电 （LMR） 和通用应用的理想选择。
10、Mixed Signal Devices 宣布推出工作频率高达 22 GHz 的新型 RF 频率合成器、1/2GHz时钟芯片（带频率计功能）
MS4022 支持无缝锁定到外部参考源，包括 OCXO、GPS 驯服振荡器 （GPSDO） 和主时钟树，从而实现与系统级时序要求的精确同步。它为相位对齐信号生成提供双相干输出，非常适合波束成形、MIMO 和多通道仪器等应用。 Mixed-Signal Devices MS4022 频率合成器主要特点： 频率范围：675 MHz 至 22 GHz，具有双相位相干输出 超低抖动：25 fs RMS（12 kHz 至 20 MHz） 参考灵活性：支持 1 PPS 至 750 MHz 的内部和外部参考时钟 接口选项：用于用户可编程的 USB-C，SPI 可选 应用：FMCW、多普勒和 SAR 雷达、相控阵和 MIMO 射频前端、5G/6G 收发器开发、需要宽带 LO 源的测试和测量系统，以及用于高速转换器的低噪声时钟生成。
MS1130 1 GHz 和 MS1150 2 GHz 振荡器——每一款都为下一代性能而设计。这些器件在紧凑的 CMOS 封装中提供飞秒级抖动、±20 ppm 的热稳定性和可编程配置。MS1130 针对高频应用（如 800G 网络和 AI 计算结构）进行了优化，而 MS1150 则专为复杂架构中的超低抖动系统时钟和时序清理而构建。 主要特点：
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发表于 2025-7-9 10:53:54
