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GaN器件在5G时代需求将迎来爆发式增长 射频功率放大器（PA）作为射频前端发射通路的主要器件，通常用于实现发射通道的射频信号放大。5G将带动智能移动终端、基站端及IOT设备射频PA稳健增长，智能移动终端射频PA市场规模将从2017年的50亿美元增长到2023年的70亿美元，复合年增长率为7%，高端LTE功率放大器市场的增长，尤其是高频和超高频，将弥补2G/3G市场的萎缩。GaAs器件是消费电子3G/4G应用的主力军，5G时代仍将延续，此外，物联网将是其未来应用的蓝海。GaN器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，在5G 时代需求将迎来爆发式增长。 5G 基站中，PA 数倍增长，GaN大有可为 4G 基站采用 4T4R方案，按照三个扇区，对应的射频 PA 需求量为 12个，5G 基站，预计64T64R将成为主流方案，对应的PA需求量高达192 个， PA 数量将大幅增长。目前基站用功率 放大器主要为 LDMOS技术，但是 LDMOS技术适用 于低频段，在高应领域存在局限性。5G 基站 GaN射频 PA 将成为主流技术，逐渐侵占LDMOS的市场，GaAs器件份额变化不大。GaN能较好的适用于大规模 MIMO，根据Yole的预计 ，2023 年GaN RF在基站中的市场规模将达到5.2亿美元，年复合增长率达到22.8%。 就电信市场而言，得益于5G网络应用的日益临近，将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且，GaN的宽带性能也是实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。 对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，则可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。 GaN具有更小的尺寸优势 资料来源：国金证券、Qorvo
由于LDMOS无法支持更高的频率，GaAs也不再是高功率应用的最优方案，预计未来大部分6GHz以下宏网络单元应用都将采用GaN器件，但小基站中GaAs优势更明显 。5G网络采用的频段更高，穿透力与覆盖范围将比4G更差，因此小基站（small cell）将在5G网络建设中扮演很重要的角色。不过，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs等现有技术仍有其优势。与此同时，由于更高的频率降低了每个基站的覆盖率，因此需要应用更多的晶体管，预计市场出货量增长速度将加快。 GaN适用于大规模MIMO GaN芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃，能比较好的适用于大规模MIMO技术。当前的基站技术涉及具有多达8个天线的MIMO配置，以通过简单的波束形成算法来控制信号，但是大规模MIMO可能需要利用数百个天线来实现5G所需要的数据速率和频谱效率。大规模MIMO中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列（AESA），需要单独的PA来驱动每个天线元件，这将带来显著的尺寸、重量、功率密度和成本（SWaP-C）挑战。这将始终涉及能够满足64个元件和超出MIMO阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求，且在每个发射/接收（T/R）模块上偏差最小的射频PA。 GaN-on-SiC更具有优势 目前市场上还存在两种技术的竞争：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）和GaN-on-silicon（硅上氮化镓）。它们采用了不同材料的衬底，但是具有相似的特性。理论上，GaN-on-SiC具有更好的性能，而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。不过，MACOM等厂商则在极力推动GaN-on-Silicon技术的广泛应用。未来谁将主导还言之过早，目前来看，GaN-on-silicon仍是GaN-on-SiC解决方案的有力挑战者。 GaN RF市场的发展方向 GaN制造主要以IDM为主。经过数十年的发展，GaN技术在全球各大洲已经普及。市场领先的厂商主要包括Sumitomo Electric、Wolfspeed（Cree旗下）、Qorvo，以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺，GaN技术的外延工艺要重要的多，会影响其作用区域的品质，对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场领先的厂商都具备很强的外延工艺能力，并且为了维护技术秘密，都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。尽管如此，Fabless设计厂商通过和代工合作伙伴的合作，发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道，NXP和Ampleon等领先厂商或将改变市场竞争格局。
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发表于 2019-4-18 17:03:06
