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GaN设计资料整合

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发表于 2019-11-5 10:08:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
提到第三代半导体材料,首当其冲的就是SiC(碳化硅)。然而另一样材料也毫不逊色,那就是今天的主角GaN(氮化镓)。GaN功率元件虽说是个后进者,是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料,但它拥有更大的成本控制潜力,尤其是高功率的硅基GaN由于具有更大输出功率与更快作业频率,已被看好可取代硅元件成为下一世代的功率元件。所以除了SiC以外,GaN的应用也是不可少的。话不多说资料已备好,就等你来学了。


资料:


GaN HEMT模型初阶入门


基于模型的GaN PA设计中非线性模型的重要性


基于模型的GaN PA设计基础:IV曲线中有什么?


基于模型的 GaN PA 设计基础知识:内部电流-电压 (I-V) 波形


基于模型的 GAN PA 设计基础知识:GAN 晶体管 S 参数、线性


GaN HEMT 模型初阶入门:非线性模型如何帮助进行 GaN PA 设计?


应用:


联网技术领域的“GaN 行动”态


GaN器件需求在5G时代将迎来爆发式增长


5G应用的关键材料,一文看懂GaN产业链!(上)


5G应用的关键材料,一文看懂GaN产业链!(中)


5G应用的关键材料,一文看懂GaN产业链!(下)




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