关于氮化镓技术的十个重要事实

yumeii

在这张帖中，我们需要记住关于氮化镓技术的十个重要事实。


✓        氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。


✓        氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。在窄带放大器设计上，设计人员可以更加方便地实施阻抗匹配。由于氮化镓场效应管器件可在更高电压下工作，因此   件到负载的功率传输最大化。所谓 “阻抗匹配”，是指在负载的输入阻抗设计上，使得从器。


✓        氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应管高二倍。件高二倍，因此氮化镓场效应器件的本征带宽能力更高。由于氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应器。


✓        率密度器件，因此它在非常狭小的空间内散发热量，形成高热通量。这也是氮化镓器件的热设计如此重要的原因。氮化镓在器件层面的热通量比太阳表面的热通量还要高五倍！“热通量”          是单位面积的热量输送率。由于氮化镓是高功  ✓        碳化硅的导热性是砷化镓的六倍，是硅的三倍。导热性，这使它成为高功率密度射频应用的首选衬底。


✓        的能隙更大，能够支持更高的电场和更高的工作电压。氮化镓的化学键强度是砷化镓化学键的三倍。


✓        氮化镓—氮化铝镓结构的压电性是砷化镓—砷化铝镓结构的五倍。重要。由于氮化镓—氮化铝镓结构具有较高的压电性，因此电气和物理属性之间是相关的。


✓        碳化硅基氮化镓材料的晶格错位密度约为砷化镓的倍。要电路设计人员的额外注意。因此，与同类砷化镓器件相比，栅极电流往往较高。


✓        氮化镓—氮化铝的应力是砷化镓—砷化铝的镓—氮化铝的应变性高于同类砷化镓—砷化铝系统，因此在所有层面进行应力分析很重要。         20 倍。


✓        率低于Qorvo  0.002%的氮化镓器件在。最终结论：该技术已成熟。 200 摄氏度下工作 100 万小时，失效。

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