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移动射频前端简述和PAMID的应用举例

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发表于 2020-7-22 23:46:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 kanhaoxi 于 2020-7-29 10:06 编辑

射频前端简介及供应链

移动终端的射频前端模块主要包括功率放大器(Power Amplifier,PA)、低噪放大器(Low Noise Amplifier,LNA),射频开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer)及天线调谐器(Antenna tuner),具体如下图所示:

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功率放大器—负责发射通道的射频信号放大。
       滤波器—用于保留特定频段内的信号,滤除干扰不需要的信号。
       双工器—由两组不同频率的带阻滤波器组成,用于发射和接收信号的隔离。
       射频开关—用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段的切换。
       低噪声放大器—主要用于接收通道中小信号的放大。
       天线调谐器—使发射机和天线之间阻抗匹配,改善天线在特定频段上的效率。

下图为射频前端各组成部分对应的供应商信息,美日等厂商如:Qorvo等仍占据垄断地位。众多国内厂商也开始布局射频产业。

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射频前端模块及其国内外供应链

射频前端集成化是必然趋势。消费终端产品体积有限,射频器件的增多,射频器件的集成化是必然趋势。集成化可以降低成本、提高性能,以及给系统集成商提供turn-key方案。目前集成主要是由SiP方式整合不同制程技术来制作功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)、开关(Switch)和被动元件(Passive)等,5GmmWave射频模组将走向高度整合趋势。射频前端模块的发展趋势将逐渐由离散型的RF元件,朝向整合型模组的FEMiD与PAMiD形式。下表为不同的射频前端集成模组。

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射频前端的集成度越来越高。最开始用于低(大约<1GHz),中(~1-2GHz)和高频(~2-3GHz)频率的射频器件被封装在三个单独的模块中。之后低频段模块扩展到 600MHz,中频和高频模块合二为一。模块中集成的器件也越来越多,超高频(~3-6GHz)模块将会支持现有的 LTE 频段和 5G 带来的新频段。毫米波将是颠覆性的变化,将天线和射频前端集成在一个模块当中。

4.png

Iphone Xs中就采用的不同的PAMiD模组。PAMiD整合了Tx和Rx模组,能够同时满足信号质量的改善和模块体积的小型化。

PAMiD在IPhone Xs中的应用

4G时代主流的射频供应商如Qorvo等会先转入5G Sub 6GHz产品,之后再进军mmWave领域。而Fabless厂商则直接瞄准5G毫米波领域,制定芯片的原型设计及架构。终端系统厂商亦对于射频芯片的设计亦表现出强烈的兴趣,如三星和华为。
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