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[分享] 5G 的射频技术

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发表于 2020-8-1 23:17:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 gaosmile 于 2020-8-1 23:21 编辑

今天,我们将带大家认识一下 5G的射频技术。

5G 愿景的真正实现,还需要更多创新。网络基站和用户设备(例如:手机)变得越来越纤薄和小巧,能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备,许多射频应用所使用的印刷电路板(PCB)也在不断减小尺寸。因此,射频应用供应商必须开发新的封装技术,尽量减小射频组件的占位面积。再进一步,部分供应商开始开发系统级封装办法(SiP),以减少射频组件的数量——尽管这种办法将会增加封装成本。

系统级封装办法正在被用于射频前端,而射频前端包含基站与天线中间的所有组件。

一个典型的射频前端由开关、滤波器、放大器及调谐组件组成。这些技术设备的尺寸不断减小,并且相互集成度不断加大。结果,在手机、小蜂窝、天线阵列系统、Wi-Fi 等 5G 应用中,射频前端正在变成一个复杂的、高度集成的系统封包。

不管怎样,5G愿景的实现都需要射频技术和封装技术的颠覆性创新。

氮化镓技术

氮化镓(GaN)是一种二进制 III/V 族带隙半导体,非常适合用于高功率、耐高温晶体管。氮化镓功率放大器技术的 5G 通信潜力才刚刚显现。氮化镓具有高射频功率、低直流功耗、小尺寸及高可靠性等优势,让设备制造商能够减小基站体积。反过来,这又有助于减少 5G 基站信号塔上安装的天线阵列系统的重量,因此可以降低安装成本。另外,氮化镓还能在各种毫米波频率上,轻松支持高吞吐量和宽带宽。

氮化镓技术最适合实现高有效等向辐射基站功率(EIRP),如图 4-5 所示。美国联邦通信委员会定义了非常高的 EIRP 限值,规定对于 28GHz 和 39GHz 频带,每 100MHz 带宽需要达到 75 dBm 功率。因此带来了哪些挑战?相关设备的搭建既要满足这些目标,又要将成本、尺寸、重量和功率等保持在移动网络运营商的预算范围内。氮化镓技术是关键;相比于其他技术,氮化镓技术在达到以上高 EIRP 值时,使用的元件更少,并且输出功率更高。

        

        图 4-5:半导体技术与 EIRP 需求的适应性比较。

对于高功率基站应用,相比于锗硅(SiGe)或硅(Si)等其他功率放大器技术,在相同 EIRP 目标值下,氮化镓技术的总功率耗散更低,如图 4-6 所示。氮化镓减少了整体系统的重量和复杂性,同时还仍保持较低功耗,因此更适合塔上安装系统的设计。

氮化镓技术的部分重要属性:

可靠性与结实性:氮化镓的功率效率更高,因此降低了热量输出。氮化镓的带隙宽,能够耐受更高的工作温度,因此可以减少紧凑区域的冷却需求。由于氮化镓能够在塔上应用(例如:天线阵列系统)的高温条件下工作,因此可以不需要冷却风扇,以及/或者可以减少散热器的体积。历史上,冷却风扇由于其机械性质,一直是造成外场故障的首要原因。大型散热器不仅硬件本身构成重大成本,并且由于重量原因,还可能带来额外的人力成本。使用氮化镓可以让人们不再使用这些高成本的散热办法。

        

        图 4-6:氮化镓减少了基站设计的复杂性,降低了成本。

低电流消耗:氮化镓降低了工作成本,产生的热量也更少。另外,低电流还有助于减少系统功耗和降低电源需求。再者,由于功耗降低,服务提供商也减少了运营支出。

功率能力:相比于其他半导体技术,氮化镓设备提供更高的输出功率。市场的发展趋势以及对于基站高功率输出的需求,更加有利于氮化镓技术的发展。

频率带宽:氮化镓拥有高阻抗和低栅极电容,能够实现更大的工作带宽和更高的数据传输速度。另外,氮化镓技术还在 3 GHz 以上拥有良好的射频性能,其他技术(例如:硅)在这个频率范围的性能却不佳。今天氮化镓模块和功率放大器提供的宽带性能,能够支持 5G 前所未有的带宽需求。

集成:5G 需要体积更小的解决方案,这促使供应商将大规模、包含多个技术的离散式射频前端,替换成单体式全面集成解决方案。氮化镓制造商开始抓住这个潮流,开发那些能够将收发链条整合到单一封装的全面集成解决方案。这进一步减少了系统的体积、重量和上市时间。

体声波滤波器技术

由于新增频带和载波聚合,再加上蜂窝通信必须与许多其他无线标准共存的事实,干涉问题比以往更加严重。要减少频带与标准之间的干涉,滤波器技术是关键。

表面声波滤波器和体声波滤波器具有占位面积小、性能优异、经济适用等优势,在移动设备滤波器市场上居于主导地位。

体声波滤波器最适合 1 GHz 至 6 GHz 的频段,表面声波滤波器最适合 1 GHz 以下的频段。因此,体声波的 5G“甜蜜点”是低于 7 GHz 的频段。体声波和表面声波能够减少 LTE、Wi-Fi、自动通信以及新的 7 GHz 以下 5G 频率的干涉,同时又能满足制造商严格的体积和性能标准。

对于智能手机设计者,5G 的推出对于电池寿命和主板空间又是一个挑战。随着每代产品推陈出新,集成的压力和缩小体积的压力不断增加。在较高频率下工作,意味着功率放大器效率降低,同时天线和线路的损耗增加。另外,5G 手机还需要增加射频开关,因此带来更多链路预算损失。(所谓“链路预算”,是指在电信系统中,从发送器经由电缆、走线等直至接收器,在这一过程中产生的所有增益与损失的总和。)

不出意外,从 4G 到 5G,手机里安装的滤波器数量急剧增加,如图 4-7 所示。载波聚合是滤波器数量增加的主要促成因素。随着全球载波聚合以及手机中标准和频带的数量越来越多,滤波器技术方兴未艾。另外,在载波聚合以及手机性能优化需求的驱使下,滤波器的复杂性也在增加。

        

        图 4-7:智能手机与集成滤波器技术。

体声波技术的一项优势就是散热,如图 4-8 所示。如前所述,放大器功率的增加导致热量的增加。如果为补偿系统功率损耗或信号范围问题而增加放大器的功率,则发送滤波器产生的热量也将增加。该热量对滤波器的性能和工作寿命都有不利影响,并且会在衰减区域和传输频带造成频率偏移。体声波技术有助于减轻这一问题,因为 SMR 体声波滤波器(BAW-SMR)产生垂直热通量,有助于将热量导离设备。在高频率下,反射器层变得更薄,这更加有助于体声波谐振器的散热。

        

        图 4-8:SMR BAW 滤波器功率处置方式。

射频技术、封装及设计

射频前端由多个半导体技术设备组成。众多的 5G 应用需要五花八门的处理技术、设计技巧、集成办法和封装办法,以满足各个独特用例的需求。

对于 5G 的 7GHz 以下频段,相应的射频前端解决方案需要创新封装办法,例如,提高组件排列的紧凑度;缩短组件之间的导线长度,以尽量减少损耗;采用双面安装;划区屏蔽;以及使用更高质量的表面安装技术组件等。

所有 5G 用例都需要射频前端技术。根据射频功能、频带、功率等级等性能要求,射频半导体技术的选择不尽相同。如图 4-9 所示,每个射频功能和应用分别对应多个半导体技术。这些应用需要五花八门的处理技术、设计技巧、集成办法和封装办法,以满足各个独特用例的特定需求。

        


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