您会使用由硅制成的碳化硅吗？

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以下文章来源于Qorvo Power ，作者UnitedSiC现Qorvo

本系列博文共有 6 个部分，将为您介绍电动汽车、电池充电和数据中心等快速增长的应用领域，以及基于极具前景的技术的新器件如何成为取代硅器件的合理选择。

这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC)功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。

为什么说选择 SiC FET 是正确的。

众所周知，“硅” 仍在市场占有一席之地，但随着功率效率和性能水平对快速增长领域（即电动汽车、电池充电、数据中心等领域）的成功变得愈发重要，基于新技术的新器件也将成为取代硅器件的合理选择。那些新器件指的正是 SiC FET。

在 “您会使用硅制成的碳化硅吗？” 系列的 6 篇博文中，UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 博士与 Power Systems Design (PSD) 一起向读者阐述了为什么 SiC FET 是广泛应用的正确选择，以及如何适用于仍包含 MOSFET、超结、IGBT 和 GaN HEMT 的环境。本系列博文为工程师介绍了与功率晶体管和二极管相关的重要品质因数，以及在进行设计选择时应该考虑的要素。本系列博文将涵盖超共源共栅拓扑结构的概念，以及如何将其用于电源应用等内容。

SiC FET 已经走出了专业应用领域，并已快速成为当今 HW 电源设计人员的主流电源解决方案。如果您考虑在下一个设计中使用 SiC，但不清楚其产品优势，或者想要进一步了解这个高速发展的 SiC 电源解决方案，则可以阅读本系列博文。希望您喜欢！

第 1 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

您需要了解有关碳化硅 (SiC) 和宽带隙 (WBG) 技术的基础知识吗？本系列博文的第一篇文章不仅涵盖适合各种级别读者的基础知识，还为从事高功率应用的电气工程师进行了详细说明。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-1/22/14274

第 2 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

本系列博文的第 2 篇文章探讨了封装在提高功率晶体管性能方面的重要作用。Bhalla 博士还向读者介绍了如何将封装应用于 SiC 技术以及为什么封装对充分挖掘宽带隙 (WBG) 技术潜力至关重要。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-2/22/14407

第 3 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

开发强大可靠的车载充电器 (OBC) 解决方案对于电动汽车 (EV) 的成功采用至关重要。汽车的充电速度越快，消费者就会越早接受将电池和电力驱动作为汽油或柴油发动机的可行替代品。宽带隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技术可以满足所有要求，这也是此技术的理想应用，本系列博文的第三篇文章将对此进行阐述。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-3/22/14585

第 4 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

本系列博文的第四篇文章将从电池充电开始，探讨电动汽车牵引逆变器的应用。读者将会了解汽车制造商开发纯电动汽车时使用的方法，以及这对动力传动系统的意义。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-4/22/14760

第 5 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

电子产品涉及到低电压、高电压和极高电压三个方面。而碳化硅 (SiC) 等功率半导体技术则明确地专注于突破较高电压领域的难题。UnitedSiC 在超共源共栅架构等方面取得了突破性进展，也由此成为该领域相关器件和模块技术的领导者。本文由 Power Systems Design 负责撰写，主要向工程领域的读者介绍 SiC MOSFET、SiC IGBT 及其对应的硅器件所适用的功率频谱。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-5/22/15016

第 6 部分：您会使用由硅制成的碳化硅吗？

大容量、高质量和更高的功率密度是电信行业应用的优先考虑因素。如本文所述，随着 5G 的大规模推广，相关要求变得越来越严格。通过探讨电信公司和数据中心使用的电源拓扑结构，读者将了解为什么电源开发人员对宽带隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技术越来越感兴趣。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-6/22/15156

关于作者

Anup Bhalla 博士
UnitedSiC 工程副总裁

在 UnitedSiC 担任工程副总裁，主管所有产品开发工作。他于 2012 年加入 UnitedSiC，此前曾在 Harris、Vishay Siliconix、AOS 工作，而且是 Alpha and Omega Semiconductor 的联合创始人。他获得了伦斯勒理工学院的电气工程博士学位，拥有 100 多项专利。

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