SiC功率半导体可靠性测试还存在一定的挑战,需要逐步完善。一是老化测试方法有着明显的缺陷。除了在筛选时长以及成本上损耗过高,还可能出现由于长时间施加高温高压导致的阈值电压和导通电阻漂移现象。二是动态性能检测标准不完善。除了对静态电学参数的评估外,SiC器件长期稳定工作和极端条件下的可靠性也是器件应用过程中尤为重要的问题。目前业界并没有一套广泛公认的 SiC MOSFET 器件可靠性测试的方法,基于硅基器件的可靠性标准并不适用于 SiC MOSFET。
三是没有统一的车规级SiC功率半导体测试标准。AEC-Q101是汽车准入的非常基本的入门,并不是最高标准,而仅依靠AQG-324与AEC-Q101容易出现 SiC 模块和器件测不准、测不全、不可靠的情况。四是成本高、流程长。以功率循环为例,AQG-324标准要求器件厂商自己建立循环测试寿命模型,并通过第三方实验室的检验。这种寿命模型有3个可变参数,导致一台功率循环设备完成寿命模型需要2年多时间,6台以上设备可将时间缩短至4个月左右。