半导体的耀眼星光——SiC

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SiC是一种在热、化学和机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件而言，具备多项优异参数。相比于传统的Si半导体，SiC元器件拥有更低的导通电阻，能够实现高速工作和高温工作，并显著减少从电力传输到实际设备的能量损耗。
全SiC模块是作为电源段被优化的模块，具有很多优点。将在其特征的基础上，对其在实际应用中的具体活用要点进行解说。由于SiC功率元器件在节能和小型化方面非常有效，因此，希望在这里能加深对元器件的了解，以帮助大家更得心应手地使用它。
SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球节能课题。
以低功率DC/DC转换器为例，随着移动技术的发展，超过90 %的转换效率是很正常的，然而高电压、大电流的AC/DC转换器的效率还存在改善空间。众所周知，以EU为主的相关节能指令强烈要求电气/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。
在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85%。如该例所示，毫无疑问，SiC功率元器件将成为能源问题的一大解决方案。
SiC的特征使其具有低阻值、高速工作、高温工作等优势，通过与Si的比较来看，”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块。例如，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。关于“高速工作”，通过提高开关频率，变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。“高温工作”是指容许在更高温度下的工作，可以简化散热器等冷却机构。
如上所述，可使用SiC来改进效率或应对更大功率。而以现状的电力情况来说，通过使用SiC可实现显著小型化也是SiC的一大优点。不仅直接节能，与放置场所和运输等间接节能相关的小型化也是重要课题之一。

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