基于GaN芯片的宽带170GHz~260GHz放大器模块

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太赫兹波是指频率在0.1 THz~10 THz范围内的电磁波，因其丰富的频率资源和独特特性而得到了广泛应用。其中，220 GHz是太赫兹频段的一个关键大气窗口，在雷达、通信、电子对抗、测量等方面具有极其关键的作用。 放大器是微波和毫米波电路系统的主要模块之一。对于目前太赫兹频率的应用，传统的倍频器不能在较宽的频率范围内提供输出功率，因此需要开发高频的宽带固态放大器模块来对信号进行放大，用于提高输出信号的功率。而对于传统氮化镓（GaN）芯片而言，尽管可以提供较高的输出功率，但其工作频率往往较低。

在此转载一篇发表于《微波学报》的文章《基于GaN芯片的宽带170GHz~260GHz放大器模块》，作者刘广儒等。本文设计了一款基于氮化镓芯片的170 GHz~260 GHz固态放大器模块。该模块采用波导-共面波导过渡结构，通过在标准矩形波导中插入楔形波导膜片来实现高紧凑的低损耗过渡。仿真结果表明，该过渡在整个波导频带内回波损耗优于20 dB，插入损耗小于0.12 dB。此外还在输入输出法兰处引入扼流槽结构，以实现对模块级联可能存在的信号泄露进行抑制。实际测试结果表明，该放大器模块在170 GHz~260 GHz频率范围内的小信号增益超过7.6 dB，输出功率均大于4 mW，并且该模块在213 GHz处实现了最大12.8 mW的功率输出，PAE为8.7 %。内容源自网络，以供学习交流。

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文章转自射频攻城狮公众号

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