How to Bias GaN Transistors: An Introduction Tutorial

1044 观看 doatello 上传于 2022-03-15 14:21:36

该视频演示了如何正确偏置 GaN 晶体管。您还可以参考 Qorvo GaN 晶体管模型库，其中包含强大的 Qorvo 裸片和封装格式 GaN 晶体管的高精度非线性仿真模型集合。 Modelithics Qorvo GaN 库还包含示例项目，这些项目演示了模型特性并促进了常见线性和非线性设计仿真的测试台设置过程。借助我们设计中心中的此视频等一系列工具，我们将帮助您变得更快、更智能。我们喜欢在最棘手的射频问题上合作。将我们视为您的 Smartner™ — 您的智能射频合作伙伴。如果您需要进一步的支持，请联系 tool-feedback@qorvo.com。

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连接与电源：新 Qorvo 为行业提供更全面的解决方案

３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以 “连接与电源——新主题、新 Qorvo” 的媒体活动。通过此次活动，Qorvo 旨在向业内介绍 Qorvo 在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。

当您问“在哪里？”时让超宽带技术来回答您

除了“你好”和“谢谢”之外，“在哪里”可能是全世界用得最多且最不可少的词语。我们每天都会用到这个词，通常在大早上，比如像钥匙这样普普通通但又很重要的东西不见了的时候，我们就会用到这个词。到了晚上，开始找电视或音响的遥控器时，也会用到这个词。如果不需要一直找来找去，随时就能找到重要的东西，这不是很好吗？如果还能摆脱对一些总是弄丢的东西的依赖，岂不是更好？我们将很快迎来这样的生活便利，而这要感谢超宽带技术 (UWB) 的出现。

超共源共栅简史

尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。

OBC 充电器中的 SiC FET 封装小巧，功能强大

在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC（如今为 Qorvo）SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构，其效率高于 IGBT，且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过，这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说，成本、尺寸和重量也是很重要的因素。

P型GaN的晶体学湿式化学蚀刻

光增强电化学（PEC）湿式蚀刻也被证明可以用于GaN的蚀刻，但在大多数情况下，产生的表面非常粗糙。最近，氮化镓型采用了包括晶体湿化学蚀刻在内的两步法。这个过程包括一个传统的蚀刻步骤，如干式蚀刻，然后是第二个，晶体学的湿式蚀刻步骤。两步过程提供了平滑的表面，可用于创建下切、超切或垂直侧壁。然而，这种技术尚未被证明为p型氮化镓；本文报告了第一次p型氮化镓的晶体学湿法蚀刻。