在当今快速发展的电子通信领域，氮化镓（GaN）作为一种高性能的半导体材料，正逐步成为射频技术的核心驱动力。其独特的物理和化学特性，如高熔点、高电子密度、高电离度以及优异的射频性能，使得GaN在高频、高功率的射频应用中展现出无与伦比的优势。
在微电子技术的蓬勃发展与广泛应用背景下，电磁兼容性问题日益凸显，成为保障微电子装置安全、稳定运行的核心议题。面对复杂的电磁环境，如何有效抑制电磁干扰，确保系统高效运行，成为科研人员与工程师们亟待解决的重要课题。在这一挑战中，一系列技术手段应运而生。
Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采用紧凑型无引脚表面贴装（TOLL）封装，可带来卓越的断路器设计和性能。Qorvo推出的750V 4毫欧SiC JFET采用TOLL封装，标志着固态电路断路器技术的重大进步。
本篇博客文章最初由Anokiwave发布。作为一家智能有源阵列天线高性能硅基集成电路（IC）的领先供应商，面向国防、卫星通信（SATCOM）和5G应用，Anokiwave于2024年3月加入了Qorvo大家庭。
在无线通信技术日新月异的今天，射频（RF）技术作为连接物理世界与数字世界的桥梁，正以前所未有的速度改变着我们的生活方式。而在射频技术的广阔谱系中，低频射频技术以其独特的魅力，在多个领域展现出了静默中的力量与广泛应用。
