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关于静电、ESD、电荷的一个问题

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发表于 2015-6-10 14:22:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
假设静电枪注入的是恒定的电压,那电容C越小,Q=C*U,手机上的获得的电荷越小,然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗,和电荷多少有什么关系?
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发表于 2015-6-10 14:24:20 | 显示全部楼层
静电没有恒压还是恒Q的说法,我们平时说的8K、12K其实只是放电瞬间的DC分量电压,静电是ns级别,上升和泄放下降包含DC分量和太多高频AC分量,DC分量可以认为就是你说的恒压;
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发表于 2015-6-10 14:24:40 | 显示全部楼层
都是大神啊
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发表于 2015-6-10 14:26:37 | 显示全部楼层
离耦合板越远,确实电容C越小,但(Q=C*U,手机上的获得的电荷越小)这句是错误的,你要先了解泄放路径的概念:我们都知道静电在主板上乱窜,它一直在找最短路径,一条打静电点到离耦合板最近的铜面路径上,比如电池朝下,电池表面是正极,那静电就想方设法进入VBAT,那在VBAT上挂的IC就悲剧了,比如TP朝下,那静电会通过地,在通过TP走线上的电容或 单级TVS等进入走线打卦TP。
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