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GaAs 和 GaN 的器件测量与模型对设计的重要性

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发表于 2015-1-23 12:56:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
作为III-V族器件,GaAs GaN广泛用于微波设计, 然而,由于半导体厂商给出的PDK和实际应用不匹配,或者说真正的LAYOUT设计和原来的器件有点不同,在几十个GHZ下面,设计都会功亏一篑,所以,好的TESTKEY设计,准确测量和好的模型对设计非常重要.附件介绍了测试所用的设备和各种模型的评估, 希望给大家有帮助, 在设计中少走弯路。

点击此处下载:
GaAs and GaN related service new.pdf (1.07 MB, 下载次数: 50)
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