首批750V SiC FET
2020年11月,市场上首批且唯一的750V SiC FET发布。这些新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V,这四款新型SiC FET包含18mΩ和60mΩ两种方案,其FoM无与伦比,并且其单位面积通态电阻更低,本征电容也很低。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能,而且还提供了最低的体二极管VF,并具有出色的反向恢复特性,从而降低了死区损耗并提高了效率。
首批RDS(on)低于10mΩ的SiC FET
2019年12月,全球首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET发布,树立性能和效率新标杆!共四种新型SiC FET,其RDS(on)值可低至7mΩ,适用于电动汽车逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7mΩ,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16mΩ。