进行功率设计时,如何选择合适的部件可能非常棘手,有时还让人极度烦恼。对于 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管,利用 FET-Jet 计算器(第 2 版)可以帮您免除盲目猜测的烦恼。阅读本博文,深入了解这款灵活便捷的工具,帮助您选择器件并查看其性能,快速准确地一次敲定设计。
这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。
如果您尚未找到合适部件,UnitedSiC 的免费网页式 FET-Jet 计算器可以为您带来启示,帮助您选择满足相关功率设计需求的 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管。您只需从下拉菜单中选择想要使用的 AC-DC 或 DC-DC 转换器拓扑结构,可以是隔离型或非隔离型。然后,就可以自动无缝地在连续、临界或非连续模式之间切换。只需设置输入、输出和所需功率,就可以选择 UnitedSiC 提供的系列 SiC FET 和肖特基二极管。该工具可立即计算出整体效率、组件损耗(分为动态损耗和传导损耗)以及电流应力水平。您甚至可以指定并联器件、多个转换器“支路”和外部散热器性能,以便预测结温。
全新的第 2 版计算器进一步简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程,并且转换器类型中可选的拓扑结构数量增加了一倍,达到了 26 种。
在第 2 版中,损耗和温升以条形图形式呈现,以便即时直观地显示传导损耗、导通损耗和关断损耗。还新增了一个非常实用的功能:可针对不同器件和驱动电压提供栅极电阻 RGon 和 RGoff 建议,并且提供建议缓冲组件值,以优化电压过冲控制。
图 1:FET-Jet 可选的转换拓扑结构
计算器中的新拓扑结构也带来了一些额外的选择。比如,针对 AC-DC 区域中复杂的 “三级 ANPC 电压源型逆变器” 拓扑结构,计算器支持选择 PWM 策略:LF middle、HF middle 和 Max ON,同时还有三种调制方案可供选择:正弦-三角波、空间矢量和 60° 不连续 PWM。并联器件数量以及部分拓扑结构中的支路/相位数量都无限制地增加。请试着点击数量,查看条形图的动态变化情况,了解其优势以及损耗和温度的变化趋势。无需担心,如果选择无效,计算机中会出现警告提示。其他新功能包括:部件标记解码器的链接、指示性波形图,还新增了以 PDF 文件格式下载计算器结果的选项,以便您保存记录。
FET-Jet 计算器(第 2 版)工具经过改良,可迅速查看所选器件的性能,帮助您正确选择器件,快速准确地一次敲定设计。该工具会定期更新 UnitedSiC 的最新部件,包括在硬开关和软开关拓扑结构中具有出色性能的第 4 代 SiC FET。我们清楚您的需求,还可以让工程师选择极为夸张的组合,比如:在升压转换器设计 50 个支路和并联 1000 个 FET。无需注册,请尽情使用!
本文转载自Qorvo半导体微信公众号