Qorvo这样解决你的又一道电源工程难题

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在Qorvo,我们以解决客户最困难的技术挑战为己任。
 
在越来越苛刻的小尺寸、低功耗、高可靠性的电子元器件性能维度下,众多工程技术挑战中,电源通常是其中的关键部分之一。
 
通过多年全球布局的努力,Qorvo已经打造业界领先的产品与完整技术方案,帮助客户解决了一系列电源相关的工程师技术难题!
 
Qorvo电源的目标是始终构建最智能、最高效的电源解决方案,帮助打造更绿色的地球。工程师可以充分利用我们的电源解决方案,结合智能电源管理和创新的SiC技术,提供更高效、更小、更具成本效益的系统解决方案。
 
今天,让我们用过去几年时间的多款典型产品和技术方案,了解Qorvo如何帮助解决你的电源难题。(点击播放视频)
  
新一代电路仿真软件QSPICETM
2023年7月,QSPICE实现全新一代混合模式电路仿真,将现代原理图捕捉技术和快速混合模式仿真独特地结合在一起,助力设计人员实现仿真复杂数字电路及算法,为电源与模拟设计人员带来电路仿真的革命性变革。11月Qorvo QSPICE荣获英国Electronics Weekly “2023 Elektra设计工具与开发软件年度产品奖”,深受工程师喜爱~
 
电路仿真软件
 
PAC22140和PAC25140
2023年3月,业界首款20电池组智能电池管理单芯片解决方案PAC22140和PAC25140发布。这两款PAC属于单芯片解决方案,可支持最多由20个电池串联组成的电池组,并采用了智能电机控制技术,让智能电池管理解决方案能够应用于各种工业、电动交通工具和备用电池等领域。
智能电池管理单芯片
 
PAC5556
集成智能电机控制器和高效SiC FET的电源解决方案于2022年2月推出参考设计。PAC系列产品是高度优化的SoC器件,将数字控制器和模拟驱动器合二为一,实现BLDC与PMSM控制。PAC5556是PAC® Cortex-M4F系列,在单个芯片上集成了Cortex-M4F MCU、电源管理、半桥栅极驱动器以及模拟前端。
电源解决方案
 
  
Qorvo并购UnitedSiC
2021年11月,Qorvo宣布收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司,进一步扩大Qorvo在快速增长的电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。
 
RDS(on)仅6mΩ的第4代SiC FET
Qorvo在2021年9月发布领先的750V第4代SiC FET器件将RDS(on)值降低至6mΩ。新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半,并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。基于“共源共栅”拓扑结构,内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起——可实现高速和低损耗以及高温工作,同时还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动,并具有集成的ESD保护。
SiC FET器件
 
ACT88760
功能强大的新款多次可编程PMIC——ACT88760在2021年6月上市,有效应对AI处理器、VR头戴设备、运动相机等应用中的功率、性能和尺寸挑战。其允许设计人员在无需特殊软件或固件的情况下多次更改配置,从而加快企业类和电池供电消费类应用的上市时间。
  
首批750V SiC FET
2020年11月,市场上首批且唯一的750V SiC FET发布。这些新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V,这四款新型SiC FET包含18mΩ和60mΩ两种方案,其FoM无与伦比,并且其单位面积通态电阻更低,本征电容也很低。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能,而且还提供了最低的体二极管VF,并具有出色的反向恢复特性,从而降低了死区损耗并提高了效率。
750V SiC FET
 
ACT85610和ACT86600
2020年3月,显著提升企业和云计算系统的电源管理状态的两款电源管理IC重磅登场。ACT85610是当时市场上唯一具备单片紧凑设计的产品,在单个芯片中结合了高性能掉电保护和可编程电源管理。ACT85610集成了eFuse、降压稳压器和升压稳压器的FET,支持企业级固态硬盘应用覆盖常见的电源输入,并提供七个可编程通用输入/输出口,集成的8通道12位ADC允许关键系统参数的测量与监控。
电源管理IC
  
首批RDS(on)低于10mΩ的SiC FET
2019年12月,全球首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET发布,树立性能和效率新标杆!共四种新型SiC FET,其RDS(on)值可低至7mΩ,适用于电动汽车逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7mΩ,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16mΩ。
SiC FET
  
UJ3C1200系列
2018年SiC推动新能源汽车、光伏逆变等采用高压功率器件的升级趋势。高压碳化硅器件UJ3C1200系列器件的电压额定值率先突破1200V,导通电阻为80和40mΩ,凭借SiC JFET的速度、效率和高温额定值,是升级替代IGBT、硅和SiC MOSFET的理想之选。
 
最新一波Qorvo高性能电源产品正在路上……欢迎留言告诉小编,你更期待Qorvo哪类产品呢?
 
#Qorvo电源产品线“小科普”
Qorvo在电源领域快速推出这些卓越的产品,实现独具优势的布局,背后离不开下面两起主要的并购行动:
 
2019年并购Active-Semi。从最初的专注于电源管理应用到电源管理与智能电机驱动并重,Active-Semi总是能够给客户提供高集成度、高性价比、高精度和小尺寸的电源解决方案;2021年并购UnitedSiC。成立于1999年的UnitedSiC,主攻高效功率转换应用的碳化硅晶体管和二极管解决方案,产品组合涵盖80多种SiC FET、JFET和肖特基二极管器件。
 
时至今日,Qorvo Power布局已经涵盖碳化硅和电源管理在内的丰富产品线,广泛应用于电动汽车、新能源与储能、数据中心、电动工具、电池充电器、白色家电等领域。点击这里,进一步了解Qorvo Power之力!
 

文章转载自Qorvo半导体微信公众号

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