Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

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全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® (纳斯达克代码:QRVO)宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅 (SiC) 模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
 
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行,通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程,让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证,无需应对多个分立式元件。”
 
以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置,最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。另外,银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23 °C/W;与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合,其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性,这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用,而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
 
下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列:
 
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Qorvo 功能强大的设计工具套件(例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件)有助于产品选择和性能仿真。如需详细了解有关 Qorvo 先进的工业应用 SiC 解决方案,请访问 cn.qorvo.com/go/sic。
 
文章转载自 Qorvo半导体微信公众号
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