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[分享] 高频下微带线的插损讨论

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发表于 2022-11-18 09:54:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
大家都知道,作为一个射频电路设计人员,在做项目或者模块的时候,当碰到自己不确定的东西的时候,心里就会觉得比较烦躁,担心项目或者模块会因为这几项不确定因素而达不到指标。这种情况应该是挺常见的,今天就来给大家分享一个经常出现的问题,跟大家探讨探讨。

比如说,当工作频率上升到Ku波段,简单的一个开关,你都会考虑插损、隔离度会不会由于高频而带来一些自己未知的一些风险。就说微带线的插损。当你对插损敏感,而且走线不得已要很长(比如说250mm),频率到Ku波段,你就不得不考虑微带线给带来的插损。如果只考虑PCB上的微带线的话,其损耗主要由介质损耗、导体损耗、泄露损耗以及辐射损耗构成。

图片1.png

介质损耗主要和介质材料的Df(dissipation factor)有关。
辐射损耗主要来源于电磁场的辐射,比如链路中的不匹配、天线效应等。
导体损耗主要和导体自身的阻抗有关,趋肤效应、金属的表面粗糙度、阻焊都会影响导体损耗。
泄露损耗与高频PCB材料的电阻有关,电阻越大,就越小。


如果到高频,大家一般都会选择rogers的板材。Rogers官网上有计算插损的软件,从其应用文档看,计算值与测试值还比较吻合。

图片2.jpg

在用其进行仿真的时候,发现在微带线的模式下,当改变Roughness Loss Model时,会对损耗有影响;而在CPWG的模式下,改变Roughness Loss Model时,则没有影响。这个应该是软件的一个BUG吧,没理由没有影响的。

图片3.jpg
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